| 器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文) |
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| 引用本文： | 雷达,孟根其其格,红鸽,陈雷锋,梁静秋,王维彪.器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)[J].光子学报,2014(10). |
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| 作者姓名： | 雷达 孟根其其格 红鸽 陈雷锋 梁静秋 王维彪 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学鄂尔多斯学院;杭州电子科技大学材料与工程学院;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; |
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| 基金项目： | The National Natural Science Foundation of China(No.61261004) |
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| 摘 要： | 基于电场叠加原理,利用悬浮球模型给出了带栅极纳米管顶端电场与电场增强因子,分析了碳纳米管与衬底之间的接触电阻、器件几何参量以及阴栅极之间的电介质对器件场发射性能的影响.结果表明:接触电阻大大降低了碳纳米管阴极的场发射电流,当接触电阻超过100kΩ时,发射电流密度非常小,此时需要更高的阳极开启电压;当阴栅极之间的电介质为真空时,阴极电子发射性能最佳;除了碳纳米管的长径比之外,栅孔半径、阴栅极间距以及阳极距离等的优化设计,也能提高器件发射性能;通过栅极偏压的调制,可以降低阳极驱动电压.
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| 关 键 词： | 碳纳米管 冷阴极 悬浮球 场发射 接触电阻 电介质 |
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