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低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性
引用本文:吴璇子,郭树旭,羊超,关健,田超,曹军胜,郜峰利.低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性[J].光子学报,2016(6):6-11.
作者姓名:吴璇子  郭树旭  羊超  关健  田超  曹军胜  郜峰利
作者单位:1. 吉林大学电子科学与工程学院,长春,130012;2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130033
基金项目:国家自然科学基金青年科学基金(No.61204055)、国家重大科学仪器设备开发专项(No.2011YQ040077)、吉林省科技发展计划青年科研基金(No.20130522188JH)和吉林省科技发展计划自然科学基金(No.20140101175JC)资助 The Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of China (No.61204055)
摘    要:测量了高功率976nm InGaAs量子阱半导体激光器在低于1/30阈值电流下的低频电噪声,提出了以1/f噪声时域信号小波系数相关性与电流的关系来分析噪声来源的方法.结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性,完成了不同偏置电流下纯1/f噪声、加白噪声后的1/f噪声两种情况下的对比实验.实验结果表明:所测的低频噪声表现为明显的1/f噪声,对于纯1/f噪声,噪声幅度和小波系数相关性在判断噪声来源时具有相同的结果;对于加白噪声后的1/f噪声,噪声幅度变化很大且不能正确表征1/f噪声来源,而部分尺度下的小波系数相关性仍能作为判断噪声来源的可靠参量.

关 键 词:半导体激光器  可靠性  相关性  1/f噪声  稳定性  小波变换  偏置电流

The 1/f Noise Correlation of Semiconductor Lasers under Low Bias Current
Abstract:
Keywords:Semiconductor lasers  Reliability  Correlation  1/f noise  Stability  Wavelet transforms  Bias currents
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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