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LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究
引用本文:杜晨林,阮双琛,于永芹,秦连杰,邵宗书,孟宪林.LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究[J].光子学报,2004,33(7):774-776.
作者姓名:杜晨林  阮双琛  于永芹  秦连杰  邵宗书  孟宪林
作者单位:[1]深圳大学工程技术学院,深圳518060 [2]天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津300072 [3]烟台大学环境工程与材料学院,烟台264005 [4]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
摘    要:报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.

关 键 词:半导体激光器泵浦  Nd∶GdVO4晶体  GaAs  被动调Q
收稿时间:2004-02-02
修稿时间:2004年2月2日

Study of LD-pumped Nd∶GdVO4/GaAs Passively Q-switched Laser



.Study of LD-pumped Nd∶GdVO4/GaAs Passively Q-switched Laser[J].Acta Photonica Sinica,2004,33(7):774-776.
Authors:


Institution:(1 School of Engineering and Technology, Shenzhen University, Shenzhen 518060)
(2 College of Precision Instrument and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072)
(3 College of Environmental Engineering and Materials, Yantai University, Yantai 264005)
(4 State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100)
Abstract:A high-power LD-end-pumped passively Q-switched Nd∶GdVO4 laser at 1.06 μm is reported here with a GaAs crystal as both passively Q-switched component and output coupler. At the incident pump power of 13.9 W, the maximum average output power of 3.6 W, the shortest pulse width of 252 ns, the highest single pulse energy of 27 μJ and the highest peak power of 107 W are achieved, respectively.
Keywords:Diode-end-pumped  Nd∶GdVO4  GaAs  Passively Q-switched
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