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紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究
引用本文:杨晓东,张景文,邹玮,侯洵.紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究[J].光子学报,2002,31(10):1216-1219.
作者姓名:杨晓东  张景文  邹玮  侯洵
作者单位:1. 西北大学光子学与光子技术研究所,西安,710069
2. 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安,710068
基金项目:国家 95攀登计划 (攀登 95 预 2 0 ),中国科学院西安光学精密机械研究所所长基金 (4 990 5 0 5 9)资助项目
摘    要:采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1:2的条件下生长出了XRD半高宽为01°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.

关 键 词:ZnO  直流反应溅射  XRD
收稿时间:2002/1/21
修稿时间:2002年1月21日

THE CHARACTERISATION OF DC REACTIVE MAGNETRON SPUTTERED ZNO FILMS
Yang Xiaodong,Zhang Jingwen,Zou Wen,Hou Xun.THE CHARACTERISATION OF DC REACTIVE MAGNETRON SPUTTERED ZNO FILMS[J].Acta Photonica Sinica,2002,31(10):1216-1219.
Authors:Yang Xiaodong  Zhang Jingwen  Zou Wen  Hou Xun
Institution:1. Institute of Photonics and Photon Technology, Northwest University, Xi’an 710069;2. Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics, Chinese Academy of Science, Xi’an 710068
Abstract:
Keywords:Zinc oxide films  DC reactived magnetron sputering  XRD spectra
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