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射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga2O3薄膜的光学特性
引用本文:闫金良,张易军,李清山,曲崇,张丽英,李厅.射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga2O3薄膜的光学特性[J].光子学报,2011,40(6):852-856.
作者姓名:闫金良  张易军  李清山  曲崇  张丽英  李厅
作者单位:鲁东大学物理学院,山东烟台,264025
基金项目:The National Natural Science Foundation of China,the Natural Science Foundation of Shandong Province,Project of Shandong Province Higher Educational Science and Technology Program
摘    要:在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.

关 键 词:射频磁控溅射  透明导电氧化物  光学带隙  退火  N掺杂β-Ga2O3

Optical Properties of N-doped β-Ga2O3 Films Deposited by RF Magnetron Sputtering
YAN Jin-liang,ZHANG Yi-jun,LI Qing-shan,QU Chong,ZHANG li-ying,LI Ting.Optical Properties of N-doped β-Ga2O3 Films Deposited by RF Magnetron Sputtering[J].Acta Photonica Sinica,2011,40(6):852-856.
Authors:YAN Jin-liang  ZHANG Yi-jun  LI Qing-shan  QU Chong  ZHANG li-ying  LI Ting
Abstract:
Keywords:RF magnetron sputtering  Transparent conductive oxide  Optical band gap  Postannealed  N-doped β-Ga2O3
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
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