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In∶Nd∶LiNbO_3晶体倍频性能的研究
引用本文:徐朝鹏,许士文,徐悟生,徐玉恒.In∶Nd∶LiNbO_3晶体倍频性能的研究[J].光子学报,2005(5).
作者姓名:徐朝鹏  许士文  徐悟生  徐玉恒
作者单位:哈尔滨工业大学电子科学与技术系 哈尔滨150001 (徐朝鹏,许士文,徐悟生),哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨150001(徐玉恒)
基金项目:973项目(G19990330),863项目(8632001AA31304)资助
摘    要:在LiNbO3 中掺进In2O3 和Nd2O3,以Czochralski技术生长了In∶Nd∶LiNO3 晶体通过光斑畸变法测得In∶Nd∶LiNbO3晶体的光损伤阈值为1. 98×104W /cm2,比Nd∶LiNbO3晶体的1. 6×102W /cm2高两个数量级以上;晶体吸收光谱的测试表明,In∶Nd∶LiNbO3 晶体的吸收边相对Nd∶LiNbO3 晶体发生紫移研究了In∶Nd∶LiNbO3 晶体的倍频性能,结果表明,In∶Nd∶LiNbO3 晶体的相位匹配温度在室温附近,倍频转换效率比Nd∶LiNbO晶体提高二倍.

关 键 词:In∶Nd∶LiNbO_3晶体  Czochralski技术  光损伤阈值  倍频性能
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