中国科学院西安光机所科技成果介绍之四

近年来,随着世界电子技术的迅速发展,国内外正在广泛深入地开展晶体、半导体的研究工作:包括单晶表面与内部晶体辐射损伤的研究,晶体内杂质分布的研究晶体内部及表面的缺陷、移动原子、层错、弯曲、结晶表面无序的研究,半导体的离子注入、离子渗杂等的研究。所有这些研究工作都可以通过离子沟道效应、沟道辐射的研究而进行的。高精的沟道辐射的研究和离子沟道效应的研究有赖于多维精密定角仪。