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PECVDSi3N4/InP界面特性的研究
引用本文:李相民,王存让.PECVDSi3N4/InP界面特性的研究[J].光子学报,1994,23(2):139-144.
作者姓名:李相民  王存让
作者单位:中国科学院西安光学精密机械研究所
摘    要:本文利用Auger分析技术和C-V测量方法,详细地研究了PECVDSi3N4/InP界面特性,Auger能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散,同时InP的热分解导致P元素穿过Si3N4薄膜到达表面。C-V测量表明Ag/Si3N4/InPMIS结构可以实现载流子的堆积、耗尽和反型。

关 键 词:AES  PECVD  Si3N4  界面
收稿时间:1993-05-03

RESEARCH ON THE PROPERTIES OF PECVD Si3N4/InP INTERFACE
Li Xiangmin,Wang Cunrang,Cheng Jun,Hou Xun,Liu Ying.RESEARCH ON THE PROPERTIES OF PECVD Si3N4/InP INTERFACE[J].Acta Photonica Sinica,1994,23(2):139-144.
Authors:Li Xiangmin  Wang Cunrang  Cheng Jun  Hou Xun  Liu Ying
Institution:Laboratory of Semiconductor Optronic devices Xi’an Institute of Optics and precision Mechanics Academia Sinica, XJ’an 710068 China
Abstract:The properties of PECVD Si3 N4/InPinterface were studied usingAugerElectron Spectrum and C-Vmeasurements. As shows that inter-diffusion at Si3 N4/InPinterface is caused after heat-treatment and element is found on the surface offilm.C-Vcurve of Ag/Si3N4 /InP MIS structure shows accumulation. depletion and in-versionregions.
Keywords:AES  PECVD:Si3N4:intefece
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