| 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响 |
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| 引用本文： | 吴雷学,汪韬,王警卫,李晓婷,景争,尹飞,梅书刚.低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响[J].光子学报,2014,38(8):1937-1941. |
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| 作者姓名： | 吴雷学 汪韬 王警卫 李晓婷 景争 尹飞 梅书刚 |
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| 作者单位： | （1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119）
（2 中国科学院研究生院,北京 100049）
（3 长安大学 理学院,西安 710061） |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划项目 |
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| 摘 要： | 采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响，得出生长温度在500 ℃~520 ℃，无过渡层，使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
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| 关 键 词： | 超晶格 金属有机源化学气相沉积 界面层 表面形貌 |
| 收稿时间： | 2008-04-24 |
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