基于Ⅱ类超晶格的中波红外带间级联探测器（特邀）

为了提高红外探测器的工作温度，基于InAs/GaSb II类超晶格材料设计了一种五级带间级联结构中波红外光电探测器，并采用分子束外延技术和标准化光刻及刻蚀技术进行了器件的制备。在77 K时，该器件的50%截止波长是4.02μm，在0 V时峰值探测率为1.26×1012 cm·Hz1/2/W；在300 K零偏压下，该器件的50%截止波长是4.88μm，峰值探测率为1.28×109 cm·Hz1/2/W，实现了高温探测。从180 K到300 K，器件的暗电流主要由扩散电流主导。在77 K到220 K温度范围的暗电流曲线中观察到了负微分电阻现象，并解释了峰谷电流比相对于温度变化的趋势。研究结果表明，具有带间级联结构的T2SL探测器可以进行室温工作，在中波范围内有比较明显的优势。