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光交换芯片中串扰的相干特性研究
引用本文:汤宇,武保剑,严伟,文峰,邱昆.光交换芯片中串扰的相干特性研究[J].光子学报,2023(10):206-215.
作者姓名:汤宇  武保剑  严伟  文峰  邱昆
作者单位:电子科技大学光纤传感与通信教育部重点实验室
基金项目:国家自然科学基金(No.62171078)~~;
摘    要:以马赫-曾德尔干涉仪光开关单元组成的4×4 Benes光交换芯片为例,研究了光交换芯片中的相干问题。理论推导了光交换芯片输出端口与输入端口之间光场的变换关系,揭示了信号和串扰的产生规律,分析了光开关状态对串扰相干强度的影响。仿真研究表明:相干串扰对信号插损的影响可以忽略;在不同光开关组合状态下,光交换芯片的串扰波动可达7 dB。根据相干光束之间的相位关系,提出一种等效去除光交换芯片中串扰相干性的方法。另外,对串扰大小对通信误码率的影响进行了实验评估。

关 键 词:光交换芯片  相干效应  Benes结构  马赫-曾德尔干涉仪  串扰
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