光交换芯片中串扰的相干特性研究 |
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引用本文: | 汤宇,武保剑,严伟,文峰,邱昆.光交换芯片中串扰的相干特性研究[J].光子学报,2023(10):206-215. |
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作者姓名: | 汤宇 武保剑 严伟 文峰 邱昆 |
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作者单位: | 电子科技大学光纤传感与通信教育部重点实验室 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(No.62171078)~~; |
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摘 要: | 以马赫-曾德尔干涉仪光开关单元组成的4×4 Benes光交换芯片为例,研究了光交换芯片中的相干问题。理论推导了光交换芯片输出端口与输入端口之间光场的变换关系,揭示了信号和串扰的产生规律,分析了光开关状态对串扰相干强度的影响。仿真研究表明:相干串扰对信号插损的影响可以忽略;在不同光开关组合状态下,光交换芯片的串扰波动可达7 dB。根据相干光束之间的相位关系,提出一种等效去除光交换芯片中串扰相干性的方法。另外,对串扰大小对通信误码率的影响进行了实验评估。
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关 键 词: | 光交换芯片 相干效应 Benes结构 马赫-曾德尔干涉仪 串扰 |
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