基于AZ5214光致保护层的As2S3硫系脊型波导制备

实验研究发现AZ5214光刻胶在一定曝光剂量下显影后会留存一定厚度的底膜，该底膜可以在干法刻蚀过程中避免As-S薄膜与碱性显影液直接接触，减轻薄膜表面损伤，起到保护作用。基于此，采用该底膜作为保护层制备As₂S₃脊型波导，研究结果表明，在AZ5214光刻胶匀胶厚度为2.1μm、紫外曝光剂量为200 mJ/cm²、显影时间为45 s的条件下会留存约为220 nm厚的光致保护层，该条件下保护层均匀性较好，且在刻蚀阶段可以完全去除。实验表明利用此保护层制备的As₂S₃脊型波导具有良好的形貌特征，波导脊宽约为3μm、脊高约为800 nm的As₂S₃脊型波导的传输损耗约为0.74 dB/cm@1 550 nm。