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一种半导体表面上微粒缺陷散射场的计算方法
引用本文:郭艳艳,李存志,林晓春.一种半导体表面上微粒缺陷散射场的计算方法[J].光散射学报,2004,16(4):350-356.
作者姓名:郭艳艳  李存志  林晓春
作者单位:1. 西安电子科技大学理学院,西安,710071
2. 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
摘    要:本文通过分析半导体表面上微粒缺陷散射场的光波传播规律,建立了表面上微粒缺陷场的传输模型和数学模型,使定量计算表面上微粒缺陷的散射场成为可能。进一步将入射场和散射场都表达成球矢量波函数的形式,并考虑表面的二次散射作用,用T矩阵将入射场和散射场的展开项系数连系起来。从而得到散射场与入射场之间的一系列定量表达式,并给出计算结果。

关 键 词:表面缺陷  光散射  传输模型  T矩阵  反射矩阵
文章编号:1004-5929(2004)04-0350-07
收稿时间:2003/7/1
修稿时间:2003年7月1日

A Computing Method for Scattered Field of Particle Defects on Semiconductor Surface
GUO Yan-yan,LI Cun-zhi,LIN Xiao-chun.A Computing Method for Scattered Field of Particle Defects on Semiconductor Surface[J].Chinese Journal of Light Scattering,2004,16(4):350-356.
Authors:GUO Yan-yan  LI Cun-zhi  LIN Xiao-chun
Institution:GUO Yan-yan~1,LI Cun-zhi~1,LIN Xiao-chun~2
Abstract:That we will found a transfer model and a mathematic model for particle defects on a surface by analyzing the light wave transmitting principle of particle defects on semiconductor surface will make ration calculation for the scattered field of particle defects on a surface possible. Then the incident field and the scattered field are expressed as a series of spherical vector wave functions and the second scattered field is taken into account, thus the parameters of the incident field and the scattered field can be linked by a T-matrix. Therefore,we will obtain a series ration expressions between the scattered field and the incident field, and then get computing result.
Keywords:surface defects  light scattering  transfer model  T-matrix  reflection matrix
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