| 激光加热效应在硅显微Raman光谱测量中的影响 |
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| 引用本文： | 伍晓明,郁鉴源,任天令,刘理天.激光加热效应在硅显微Raman光谱测量中的影响[J].光散射学报,2008,20(4). |
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| 作者姓名： | 伍晓明 郁鉴源 任天令 刘理天 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
2. 清华大学分析中心,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 本文从理论和实验两方面研究了显微Raman光谱测量中,激光功率对单晶硅样品测量的影响。由于显微Raman光谱仪对激光的聚焦作用,使得激光对不同厚度的样品具有微区加热作用,被测样品产生不同程度的温升,从而对显微Raman光谱仪在硅材料应力和温度的测量中产生影响。实验结果证明,对无限厚硅样品,20mW的激光使Raman频移达到0.15cm-1;而对2μm厚的热薄硅样品,26mW的激光使Raman频移达到4.47cm-1。
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| 关 键 词： | 显微Raman 激光加热 Raman频移 |
The Influence of Laser Heating in Silicon Micro-Raman Measurement |
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| WU Xiao-ming,Yu Jian-yuan,REN Tian-ling,LIU Li-tian.The Influence of Laser Heating in Silicon Micro-Raman Measurement[J].Chinese Journal of Light Scattering,2008,20(4). |
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| Authors: | WU Xiao-ming Yu Jian-yuan REN Tian-ling LIU Li-tian |
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| Abstract: | This paper presents theoretically and experimentally the influence of laser heating in Silicon Micro-Raman measurement. The local temperature rise induced by focused laser introduces errors in the stress or temperature measurement of Silicon samples. The experiment results shows that the Raman shifts of semi-infinite and thermal thin Silicon sample reach 0.15 cm-1 and 4.47 cm-1 under laser irradiation of 20 mW and 26 mW respectively. |
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| Keywords: | micro-Raman laser heating Raman shift |
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