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纳米TiO_2薄膜的结构与光电特性
引用本文:顾广瑞,李英爱,陶艳春,何志,殷红,李卫青,赵永年.纳米TiO_2薄膜的结构与光电特性[J].光散射学报,2003,15(1):38-41.
作者姓名:顾广瑞  李英爱  陶艳春  何志  殷红  李卫青  赵永年
作者单位:1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023;延边大学理工学院,延吉,133002
2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023
3. 吉林大学超分子结构和谱学开放实验室,长春,130023
4. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023;吉林大学超分子结构和谱学开放实验室,长春,130023
摘    要:用射频磁控溅射方法制备出厚度大约15-225nm的TiO2薄膜。Raman光谱测量显示,TiO2薄膜主要是金红石结构(含少量板钛矿相)。紫外可见光吸收光谱表明,在纳米厚度(100nm)范围内,TiO2薄膜的带隙宽度随着薄膜厚度的变化而变化。室温下测量TiO2薄膜的电阻率发现,随着厚度的增加TiO2薄膜的电阻率先后在导体、半导体和绝缘体范围变化。

关 键 词:TiO2薄膜  结构  光谱  导电性
文章编号:1004-5929(2003)01-0038-04
收稿时间:2002/10/18
修稿时间:2002年10月18

Characteristics on Structure and Photoelectricity of Nanometer TiO2 Thin Films
Abstract:The nanometer TiO2 thin films with the thickness from 15 nm to 225 nm were deposited by reactive magnetron sputtering. Raman spectra showed that the structure of rutile including a spot of brookite were obtained. UVVis absorption spectra indicated that the energe width of TiO2 thin films changes with the thickness in the nanometer thickness range. It was found that the resisitivity of TiO2 thin films varied in the range from conductor, semiconductor to nonconductor in room temperature.
Keywords:TiO_2 thin films  Structure  Spectrum  Conductivity
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