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掺Sb纳米ZnO的光致发光的研究
引用本文:杜广芬,左健,李福利,张运生,耿玉珍.掺Sb纳米ZnO的光致发光的研究[J].光散射学报,2004,16(1):63-65.
作者姓名:杜广芬  左健  李福利  张运生  耿玉珍
作者单位:1. 中国科学技术大学结构分析重点实验室,安徽,合肥,230026
2. 首都师范大学物理系,北京,100037
基金项目:国家自然科学基金资助课题(批准号:10174048)
摘    要:用柠檬酸盐法合成了不同掺杂浓度的纳米ZnO,粒径约为15nm。探讨了Sb掺杂对ZnO光致发光峰的影响。随着掺杂量的提高,样品的发射峰从428nm移至444nm。未掺杂ZnO的发光主要是源于电子从锌填隙形成的缺陷能级到价带顶的跃迁;随着掺杂量的提高,体系的氧空位增加,从而使得电子从氧空位所形成的缺陷能级到价带顶的跃迁占据主导,光致发射峰向长波方向移动。

关 键 词:光致发光  纳米ZnO  Sb掺杂
文章编号:1004-5929(2004)01-0063-03
收稿时间:2003/7/22
修稿时间:2003年7月22日

Study on Photoluminescence of Sb-doped ZnO Nanocrystallites
DU Guang-fen,ZUO Jian.Study on Photoluminescence of Sb-doped ZnO Nanocrystallites[J].Chinese Journal of Light Scattering,2004,16(1):63-65.
Authors:DU Guang-fen  ZUO Jian
Institution:DU Guang-fen~1,ZUO Jian~
Abstract:Sb-doped ZnO nanocrystallites of average grain size about 15nm were made by the citrate method and made some discussion about the effect of the Sb-doped on the photoluminescence peak of ZnO nanocrystallites. With increasing of doping, the photoluminescence peak of products drift from 428nm to 444nm. Electron transition from defect energy level formed by interval Zn ions to tip of value band contributes to undoped photoluminance. The red shifts of photoluminance originated from the increasing of oxygen vacancies.
Keywords:Photoluminance  nano ZnO  Sb-doped
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