| 同步辐射小角X射线反射和慢正电子湮没表征low-k SiOx薄膜 |
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| 引用本文： | 周春兰,王丹妮,马创新,王宝义,魏龙,何庆,贾全杰.同步辐射小角X射线反射和慢正电子湮没表征low-k SiOx薄膜[J].中国物理 C,2003,27(Z1):67-71. |
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| 作者姓名： | 周春兰 王丹妮 马创新 王宝义 魏龙 何庆 贾全杰 |
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| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所 北京 100039 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射方法制备了低介电常数材料多孔非晶SiOx薄膜,溅射压强从1Pa—3Pa变化,傅立叶变换红外吸收光谱测行x的范围为1≤x≤1.6.同步辐射X射线反射(XRR)测量结果显示了随着溅射压强的增大,薄膜的孔隙率(体积比)从6%上升到24%,同时估计了薄膜的厚度.慢正电子湮没多普勒展宽测量探测了薄膜中的缺陷分布信息,结果显示随着溅射压强的增加,薄膜中的E'中心缺陷增加,其抑制了电子偶素的生成,从而使S参数呈下降趋势,利用VEPFIT程序对正电子湮没结果进行了拟合,得到的膜厚与XRR结果较为接近.
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| 关 键 词： | 同步辐射 XRR 慢正电子束流 磁控溅射 SiOx孔隙率 |
| 收稿时间： | 2003-11-21 |
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