15—20mA负氢离子源的设计与加工 |
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引用本文: | 贾先禄,张天爵,吕银龙,姚红娟,陈荣范,钟俊晴,宋国芳,林军.15—20mA负氢离子源的设计与加工[J].中国物理 C,2008,32(Z1):265-267. |
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作者姓名: | 贾先禄 张天爵 吕银龙 姚红娟 陈荣范 钟俊晴 宋国芳 林军 |
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作者单位: | 中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院 北京 102413,北京 102413,北京 102413,北京 102413,北京 102413,北京 102413,北京 102413,北京 102413 |
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摘 要: | 离子源是强流质子回旋加速器的核心设备之一, 它的性能指标对最终束流大小和质量都有重大影响. 文章介绍了一种运用于强流质子回旋加速器上的多峰场负氢离子源的设计与加工情况, 该离子源主要是通过深入研究高密度等离子体产生技术、长寿命大直流灯丝电子发射技术、磁约束技术、虚拟过虑技术、残留气体与电子剥离的控制技术, 以及离子引出技术等, 在中国原子能科学研究院原有10mA离子源基础上建立负氢离子源, 实验研究低能、强流束的实验匹配与调试技术, 将平均引出束流提高到15—20mA.
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关 键 词: | 负氢离子源 约束场 虚拟过滤场 |
收稿时间: | 2008-1-11 |
Design and Machining of the 15 20mA H-Cusp Source |
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Abstract: | |
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Keywords: | H-cusp source confinement field virtual filtering field |
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