Photoacoustic study of a two-layer system: Implanted silicon |
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| Authors: | T Papa F Scudieri M Ferraris di Celle A Picco |
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| Institution: | (1) Dipartimento di Energetica dell'Università, Roma;(2) Gruppo Nazionale di Struttura della Materia del C.N.R., Roma;(3) Istituto di Fisica della Facoltà d'Ingegneria della II Università, Roma;(4) Gruppo Nazionale Elettronica Quantistica e Plasmi del C.N.R., Roma;(5) Istituto di Fisica della Facoltà d'Ingegneria della II Università, Roma |
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| Abstract: | Summary We have studied the behaviour of photoacoustic response of implanted silicon samples in order to measure the thermal conductivity
of damaged layers; the results allow us to determine such a parameter simply by the phase difference measurement between implanted
and unimplanted regions of the sample.
Riassunto è stata studiata la risposta fotoacustica di campioni di silicio impiantato allo scopo di misurare la conducibilità termica
degli strati danneggiati; i risultati permettono di determinare questa grandezza misurando semplicemente la differenza di
fase tra la zona impiantata e quella cristallina del campione.
Резюме Исследуется поведение фотоакустического отклика на образцах имплантированного кремиия, чтобы измерить теплопроводность поврежденных
слоев. Полученные результаты позволяют получить величину теплопроводности с помощью измерения разности фаз между имплантированной
и неимплантированной областлми образца.
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| Keywords: | Optical properties of thin films |
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