首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

电感耦合等离子体-质谱法测定工业硅中的痕量硼和磷
引用本文:刘春侠,何素芳,贺与平,卫蓉,单云,熊敏.电感耦合等离子体-质谱法测定工业硅中的痕量硼和磷[J].光谱实验室,2012,29(5):2952-2955.
作者姓名:刘春侠  何素芳  贺与平  卫蓉  单云  熊敏
作者单位:昆明理工大学分析测试研究中心 昆明市学府路304号 650093
基金项目:云南省科技平台项目(2010DH025);国家自然科学基金面上项目(41173124);云南省应用基础研究项目(2009ZC017M)
摘    要:建立电感耦合等离子体-质谱法(ICP-MS)测定工业硅中痕量B和P的分析方法.采用HF-HNO3混合酸处理样品,对仪器工作参数进行优化,以Rh为校正内标,有效克服了基体效应及多元素分子离子干扰.分析结果表明,方法的检出限为:B为2.0μg·L-1、P为8.5μg · L-1,B和P的加标回收率分别为:97.2%-103.6%、95.2 %-102.8%,精密度分别为2.6%、3.5%.方法可准确、快速测定工业硅中痕量元素B和P.

关 键 词:电感耦合等离子体-质谱法  工业硅    

Determination of Trace Elements B and P in Industrial Silicon by Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry
LIU Chun-Xia , HE Su-Fang , HE Yu-Ping , WEI Rong , SHAN Yun , XIONG Min.Determination of Trace Elements B and P in Industrial Silicon by Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry[J].Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory,2012,29(5):2952-2955.
Authors:LIU Chun-Xia  HE Su-Fang  HE Yu-Ping  WEI Rong  SHAN Yun  XIONG Min
Institution:(Research Center for Analysis and Measurement,Kunming University of Science and Technology,Kunming 650093,P.R.China)
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号