| Sc掺杂Ca3Si4的电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 高冉,谢泉.Sc掺杂Ca3Si4的电子结构和光学性质[J].光谱实验室,2013,30(1):56-62. |
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| 作者姓名： | 高冉 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵阳市550025 |
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| 基金项目： | 贵州大学研究生创新基金资助(校研理工2011001);国家自然科学基金(60566001,60766002);贵州大学引进人才科研项目贵大人基合字(20101032号);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2323号) |
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| 摘 要： | 利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Sc掺Ca3Si4的电子结构和光学性质进行了系统的计算和分析比较.研究结果为块体Ca3Si4是间接带隙半导体,带隙为0.372eV,价带主要是由Si的3s和3p及Ca的3d态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成,静态介电常数ε1(0)=19,折射率n0=4.35；吸收系数在能量3.024eV处达到最大峰值1.56×105cm-1.而掺杂Sc变为n型半导体；费米能级附近的导带主要则由Ca的3d态电子和Sc的3d态电子构成,静态介电常数变为ε1(0)=54.58,折射率n0=7.416；吸收系数在能量5.253eV处达到最大峰值1.614×105cm-1.通过掺杂有效调制了Ca3Si4的电子结构和光学性质,计算结果为Ca3Si4光电材料的设计与应用提供了理论依据.
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| 关 键 词： | Ca3Si4 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理 |
Electronic Structure and Optical Properties of Sc-doped Ca3Si4 |
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| GAO Ran
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XIE Quan.Electronic Structure and Optical Properties of Sc-doped Ca3Si4[J].Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory,2013,30(1):56-62. |
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| Authors: | GAO Ran XIE Quan |
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| Institution: | (Research Institute of New Optoelectronic Materials and Technology,Guizhou University,Guiyang 550025,P.R.China) |
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