| 氩气压强对射频磁控溅射ZnO：Al薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘著光,杨伟锋,吕英,黄火林,吴正云.氩气压强对射频磁控溅射ZnO：Al薄膜结构和性能的影响[J].光谱实验室,2008,25(3):425-427. |
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| 作者姓名： | 刘著光 杨伟锋 吕英 黄火林 吴正云 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,福建省厦门市,361005
2. 厦门大学物理系,福建省厦门市,361005;厦门大学萨本栋微机电中心,福建省厦门市,361005 |
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| 摘 要： | 以ZnO:Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO:Al(AZO)薄膜,通过XRD、AFM以及Hall效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响.分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,当压强为1.2Pa时薄膜的电阻率降至最低(2.7×10-3Ω·cm).薄膜在可见光区平均透射率高于90%,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度.
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| 关 键 词： | RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜. |
| 文章编号： | 1004-8138(2008)03-0425-03 |
| 修稿时间： | 2008年3月4日 |
Effect of Ar Pressure on the Structure and Properties of ZnO:Al Films Deposited by RF Magnetron Sputtering |
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| LIU Zhu-Guang,YANG Wei-Feng,LV Ying,HUANG Huo-Lin,WU Zheng-Yun.Effect of Ar Pressure on the Structure and Properties of ZnO:Al Films Deposited by RF Magnetron Sputtering[J].Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory,2008,25(3):425-427. |
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| Authors: | LIU Zhu-Guang YANG Wei-Feng LV Ying HUANG Huo-Lin WU Zheng-Yun |
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