多指PHEMT器件热点和热阻数值研究 |
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引用本文: | 李敏,吴晶.多指PHEMT器件热点和热阻数值研究[J].工程热物理学报,2014(9). |
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作者姓名: | 李敏 吴晶 |
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作者单位: | 南京航空航天大学能源与动力学院;华中科技大学能源与动力工程学院; |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(No.51206079) |
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摘 要: | 随着大功率半导体器件的发展,其局部热流密度急剧增加。为防止器件功能失效,需要可靠的建模技术来研究器件的热学行为,进而指导其冷却设计。本文采用非等温能量平衡模型研究了自热效应对栅长为500nm的多指GaAs赝配高电子迁移率固态微波功率器件(PHEMT)的热学特性的影响。基于泊松方程、连续性方程、输运方程和晶格热方程,数值求解得到了器件的热点位置和温度分布,并通过实验进行了验证。最后,应用(?)理论,进-步分析了(?)耗散热阻在评价器件热学性能方面的适用性。
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关 键 词: | PHEMT 自热效应 NEB模型 热点 (?)耗散热阻 |
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