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在立方氧化锆中MgO的掺入对其高压电子结构和光学性质的影响
引用本文:何林,尹君.在立方氧化锆中MgO的掺入对其高压电子结构和光学性质的影响[J].原子与分子物理学报,2012,29(6):1065-1068.
作者姓名:何林  尹君
作者单位:四川师范大学物理与电子工程学院,成都,610068
摘    要:采用基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,分别计算了70 GPa压力下立方氧化锆理想晶体以及在其中掺入MgO时的电子结构和光学性质.计算结果表明,掺入MgO使得立方氧化锆禁带宽度稍微减小,从而导致其吸收边发生微小红移,但不影响立方氧化锆在可见光范围内的高压光吸收性(吸收系数仍为零).70 GPa压力下,立方氧化锆理想晶体和在其中掺入MgO时均在可见光区保持透明.同时,在立方氧化锆中掺入MgO使得大约120 nm处的反射谱主峰峰值强度有所降低,以及约120 nm处的能量损失谱主峰向长波方向移动,峰值强度有明显地降低.

关 键 词:立方氧化锆  第一性原理  掺入MgO  高压  电子结构  光学性质

Effects of MgO-doping in cubic Zirconia on its electronic structure and optical properties of at high pressure
HE Lin , YIN Jun.Effects of MgO-doping in cubic Zirconia on its electronic structure and optical properties of at high pressure[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2012,29(6):1065-1068.
Authors:HE Lin  YIN Jun
Institution:(College of Physics and Electronic Engineering,Sichuan Normal University,Chengdu 610068,China)
Abstract:
Keywords:cubic Zirconia  first principles  MgO-doping  high pressure  electronic structures  optical properties  
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