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第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构
引用本文:闫玉丽,杨致,赵文杰,葛桂贤,雷雪玲,王清林.第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构[J].原子与分子物理学报,2007,24(3):601-604.
作者姓名:闫玉丽  杨致  赵文杰  葛桂贤  雷雪玲  王清林
作者单位:河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001
摘    要:用紧束缚近似线性Muffin-tin轨道的方法计算了稀磁半导体(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常数,磁性和电子结构.给出了Mn掺杂浓度的变化对(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构的影响.

关 键 词:稀磁半导体  晶格常数  磁性  态密度
文章编号:1000-0364(2007)03-0601-04
收稿时间:2005/10/10
修稿时间:2005-10-10

First-principles studies for the lattice constants,magnetism and electronic structures of diluted magnetic semiconductors (In1-x,Mnx)As
YAN Yu-li,YANG Zhi,ZHAO Wen-jie,GE Gui-xian,LEI Xue-ling,WANG Qing-ling.First-principles studies for the lattice constants,magnetism and electronic structures of diluted magnetic semiconductors (In1-x,Mnx)As[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2007,24(3):601-604.
Authors:YAN Yu-li  YANG Zhi  ZHAO Wen-jie  GE Gui-xian  LEI Xue-ling  WANG Qing-ling
Institution:School of Physics and Information Optoelectronics, Henan University, Kaifeng 475001,China
Abstract:Lattice constants magnetic and electronic structures of diluted magnetic semiconductors(In1-x,Mnx)As(x=1/2,1/4,1/8) are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation.We show here the effect of varying Mn concentrations on the lattice constants,magnetic and the electronic structures.
Keywords:diluted magnetic semiconductor  lattice constants  magnetism  density-of-states
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