| C掺杂β-FeSi2的电子结构和光学特性研究 |
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| 引用本文： | 张春红,闫万珺,周士芸,张忠政,桂放,郭本华.C掺杂β-FeSi2的电子结构和光学特性研究[J].原子与分子物理学报,2013,30(4):683-688. |
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| 作者姓名： | 张春红 闫万珺 周士芸 张忠政 桂放 郭本华 |
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| 作者单位： | 安顺学院物理与电子科学系,安顺,561000 |
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| 基金项目： | 贵州省科技厅自然科学基金项目[黔科合J字LKA（2012）15号，黔科合Ｊ字（2010）2001]；贵州省教育厅自然科学基金项目[黔教科KY（2012）056号]；贵州省教育厅2011市州地普通本科高校教育质量提升项目[黔高教发KY（2011）278号]；贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心资助课题. |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对C掺杂p-FeSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算.几何结构和电子结构的计算表明:C掺杂后使得β-FeSi2的晶格常数a和b减少,c变化不大,晶格体积减小；C掺杂后的 β-FeSi2能带结构仍为准直接带隙,禁带宽度变窄,直接带隙与间接带隙的能量差值不变,C的掺杂消弱了Fe的3d态电子,费米能级附近的电子态密度主要由Fe的3d态电子贡献.光学性质的计算表明:与未掺杂时相比,介电函数的实部ε1减少,虚部ε2的峰值减少并向高能方向有一微小的偏移,吸收系数有所降低.计算结果为β-FeSi2光电材料的应用和设计提供了理论指导.
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| 关 键 词： | β-FeSi2 第一性原理 掺杂 电子结构 光学特性 |
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