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| 替位和间隙原子N对ZnO电子结构和光学性质的影响（英文） | |
| 摘 要： | 本文采用密度泛函理论，深入研究了N作为替位和间隙原子对ZnO电子结构和光学性质的影响，结果表明:由于N在八面体间隙位置的形成能小所以更倾向于占据八面体间隙位置; N掺杂ZnO会形成p型半导体; N在间隙位置能够明显的缩小带隙宽度，可以有效的促进ZnO对光的吸收;在可见光区，处于间隙位置的N具有良好的光学吸收谱并且产生明显的红移，这与带隙的变化规律一致. |
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