| 稀土La掺杂CrSi2电子结构与光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 张忠政,张春红,闫万珺,周士芸,郭本华.稀土La掺杂CrSi2电子结构与光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2015,32(6). |
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| 作者姓名： | 张忠政 张春红 闫万珺 周士芸 郭本华 |
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| 作者单位： | 安顺学院,安顺学院,安顺学院,安顺学院,安顺学院 |
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| 基金项目： | 贵州省科技厅自然科学基金项目[黔科合Ｊ字（2010）2001]; 贵州省教育厅自然科学基金项目[黔教科KY（2012）056号]; 贵州省科学技术厅、安顺市人民政府、安顺学院联合科技基金资金资助[黔科合J字LKA（2012）15号]; 贵州省教育厅2011市州地普通本科高校教育质量提升项目[黔高教发KY（2011）278号]资助课题. |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法, 对稀土La掺杂CrSi2的几何结构, 电子结构和光学性质进行了计算与分析. 结果表明, La掺杂后, CrSi2的晶格常数a, b 和c均增大, 晶格体积增大. La掺杂导致费米面进入价带, 带隙明显变窄仅为0.07eV; 在费米面附近, La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分, 而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定; La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69, ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强, 光学吸收边向低能方向移动, 吸收峰减小. 计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.
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| 关 键 词： | CrSi2 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质 |
First Principle Study on Electronic Structure and Optical Properties of CrSi2 Doped Rare Earth Element La |
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| Zhang Zhong-Zheng,Yan Wan-Jun,and.First Principle Study on Electronic Structure and Optical Properties of CrSi2 Doped Rare Earth Element La[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2015,32(6). |
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| Authors: | Zhang Zhong-Zheng Yan Wan-Jun and |
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| Institution: | anshun university,,,, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CrSi2 first principle doping electronic structure optical properties |
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