| CH3OH在Ga-Rich GaAs(001)-(4×2)表面上的吸附与解离: 团簇模型的密度泛函计算 |
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| 引用本文： | 刘华成,张建生,于锋.CH3OH在Ga-Rich GaAs(001)-(4×2)表面上的吸附与解离: 团簇模型的密度泛函计算[J].原子与分子物理学报,2015,32(6):591-596. |
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| 作者姓名： | 刘华成 张建生 于锋 |
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| 作者单位： | 西安工业大学,西安工业大学,西安工业大学 |
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| 摘 要： | 采用简单团簇模型结合密度泛函理论研究了CH3OH在Ga-Rich GaAs(001)-(4×2)表面上的吸附与解离过程. 计算结果表明, CH3OH在Ga-Rich GaAs(001)-(4×2)表面上首先会形成两种化学吸附状态, 然后CH3OH经解离生成CH3O自由基和H原子吸附在表面不同位置上. 通过比较各个吸附解离路径, 发现解离后的H原子相对更容易吸附在位于表面第二层紧邻的As原子上.
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| 关 键 词： | Ga-Rich GaAs(001)-(4×2)表面 CH3OH 吸附 团簇模型 密度泛函理论 |
| 修稿时间： | 3/2/2014 12:00:00 AM |
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