第一性原理研究BiNbO4晶体的电子结构和光学性质 |
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引用本文: | 周朝彪,冉扬强,吴刚,付文羽,郑兴荣.第一性原理研究BiNbO4晶体的电子结构和光学性质[J].原子与分子物理学报,2015,32(6):669-674. |
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作者姓名: | 周朝彪 冉扬强 吴刚 付文羽 郑兴荣 |
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作者单位: | 西南大学物理与科学技术学院,西南大学物理与科学技术学院,西南大学物理与科学技术学院,陇东学院电气工程学院,陇东学院电气工程学院 |
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摘 要: | 此文用密度泛函理论的平面波赝势方法研究BiNbO4的电子结构和光学性质.获得了BiNbO4是一种禁带宽度为2.74 eV的直接带隙半导体, 价带顶主要是由O-2p态与Bi-6s态杂化而成,而导带底主要是由Nb-4d态构成等有益结果; 还分析得出介电函数、复折射率、能量损失等光学性质与电子态密度、能带结构存在内在的联系.
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关 键 词: | 第一性原理 BiNbO4 电子结构 光学性质 |
收稿时间: | 5/6/2014 12:00:00 AM |
Investigations of electronic structure and optical properties of BiNbO4 by the First-Principle |
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Institution: | School of Physical Science and Technology, Southwest University,,,School of Physical Science and Technology, Southwest University,,Electrical Engineering College, Longdong University,Electrical Engineering College, Longdong University |
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