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第一性原理研究BiNbO4晶体的电子结构和光学性质
引用本文:周朝彪,冉扬强,吴刚,付文羽,郑兴荣.第一性原理研究BiNbO4晶体的电子结构和光学性质[J].原子与分子物理学报,2015,32(6):669-674.
作者姓名:周朝彪  冉扬强  吴刚  付文羽  郑兴荣
作者单位:西南大学物理与科学技术学院,西南大学物理与科学技术学院,西南大学物理与科学技术学院,陇东学院电气工程学院,陇东学院电气工程学院
摘    要:此文用密度泛函理论的平面波赝势方法研究BiNbO4的电子结构和光学性质.获得了BiNbO4是一种禁带宽度为2.74 eV的直接带隙半导体, 价带顶主要是由O-2p态与Bi-6s态杂化而成,而导带底主要是由Nb-4d态构成等有益结果; 还分析得出介电函数、复折射率、能量损失等光学性质与电子态密度、能带结构存在内在的联系.

关 键 词:第一性原理    BiNbO4    电子结构    光学性质
收稿时间:5/6/2014 12:00:00 AM

Investigations of electronic structure and optical properties of BiNbO4 by the First-Principle
Institution:School of Physical Science and Technology, Southwest University,,,School of Physical Science and Technology, Southwest University,,Electrical Engineering College, Longdong University,Electrical Engineering College, Longdong University
Abstract:
Keywords:
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