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| Se掺杂ZnO的晶体结构和电子性质的第一性原理计算 | |
| 引用本文： | 张昊,吴玉喜,韩龙,顾书林,渠立成,李腾.Se掺杂ZnO的晶体结构和电子性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2011,28(5):937-943. |
| 作者姓名： | 张昊 吴玉喜 韩龙 顾书林 渠立成 李腾 |
| 作者单位： | 1. 中国矿业大学理学院物理系,徐州,221116 2. 南京大学物理学院固体微结构国家重点实验室,南京,210093 3. 徐州空军学院航空弹药系,徐州,221000 |
| 基金项目： | 国家973项目（批准号：2011CB302003）；国家自然科学基金重点项目（批准号：60990312）；中央高校基金科研业务费专项资金（批准号：2010LKWL11） |
| 摘 要： | 本文采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）平面波超软赝势方法，研究了纤锌矿ZnO及不同浓度Se掺杂ZnO合金的晶体结构和电子性质。在对Se掺杂结构优化的基础上对其进行了数值模拟计算，结果表明：ZnO1-xSex晶格常数随着Se浓度的增大而近似呈线性增加；禁带宽度随着浓度的增大先减小后增大；价带顶的位置由Se-4p态电子决定，且基本不随浓度变化而变化，导带底的位置主要由Zn-4s态电子，且随Se掺杂浓度的增加先向低能段移动然后向高能段移动，这也是带隙先变小后变大的根本原因。 |
| 关 键 词： | 氧化锌 掺杂 第一性原理 带隙 |
First-principle study of the crystal structure and electronic properties of Se doped ZnO |
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| ZHANG Hao,WU Yu-Xi,HAN Long,GU Shu-Lin,QU Li-Cheng,LI Teng.First-principle study of the crystal structure and electronic properties of Se doped ZnO[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2011,28(5):937-943. | |
| Authors: | ZHANG Hao WU Yu-Xi HAN Long GU Shu-Lin QU Li-Cheng LI Teng |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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