Cr掺杂以及Mo和Cr双掺Mn4Si7的第一性原理计算 |
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引用本文: | 杨顺吉,张晋敏,谢杰,冯磊,贺腾.Cr掺杂以及Mo和Cr双掺Mn4Si7的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2021,38(5):056003. |
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作者姓名: | 杨顺吉 张晋敏 谢杰 冯磊 贺腾 |
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作者单位: | 贵州大学,贵州大学,贵州大学,贵州大学,贵州大学 |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论中第一性原理的赝势平面波法,分别对本征Mn4Si7、Cr掺杂Mn4Si7以及Cr和Mo双掺Mn4Si7的电子结构及光学性质进行了计算和分析。计算结果表明本征Mn4Si7禁带宽度为Eg=0.813 eV,Cr掺杂Mn4Si7禁带宽度为Eg=0.730 eV,Cr和Mo双掺Mn4Si7禁带宽度为Eg=0.620 eV,均为间接带隙半导体、p型掺杂。此外,在低能区掺杂体系的介电函数、折射率、消光系数、吸收系数以及光电导率均强于本征Mn4Si7,表明Cr掺杂Mn4Si7以及Cr和Mo双掺Mn4Si7有运用于红外光电子器件的巨大潜力。
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关 键 词: | Mn4Si7 掺杂 第一性原理 电子结构 光学性质 |
收稿时间: | 2020/7/31 0:00:00 |
修稿时间: | 2020/8/27 0:00:00 |
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