| Sm填充型方钴矿化合物的高温高压合成及电输运特性研究 |
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| 引用本文： | 姜一平,贾晓鹏,宿太超,董楠,邓乐,马红安.Sm填充型方钴矿化合物的高温高压合成及电输运特性研究[J].原子与分子物理学报,2009,26(4):725-728. |
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| 作者姓名： | 姜一平 贾晓鹏 宿太超 董楠 邓乐 马红安 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012;北华大学物理学院,吉林市,132103
2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（50731006,50801030）；吉林大学985工程研究生创新基金（20080219） |
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| 摘 要： | 利用高温高压方法在2 ~ 5.0 GPa和900 K的合成条件下成功合成出系列立方相Sm填充型方钴矿化合物SmxCo4Sb12 ( x= 0.2, 0.6, 0.8 ) 体热电材料，并系统地研究了合成压力及不同的Sm填充分数对其室温下的电输运特性（电阻率、Seebeck系数、功率因子）的影响. 研究结果表明， Sm填充型方钴矿化合物SmxCo4Sb12为n型半导体. 在不同压力下，随着Sm填充分数的增加，Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈现降低趋势. 在2 GPa，900 K条件下合成的Sm0.8Co4Sb12化合物功率因子达到最大值5.88 μW /( cm·K2).
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| 关 键 词： | Sm 方钴矿 高温高压 热电材料 |
Electric transport properties of Sm-filled CoSb3 skutterudite compounds prepared by HPHT |
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| JIANG Yi-Ping,JIA Xiao-Peng,SU Tai-Chao,DONG Nan,DENG Le,MA Hong-An.Electric transport properties of Sm-filled CoSb3 skutterudite compounds prepared by HPHT[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2009,26(4):725-728. |
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| Authors: | JIANG Yi-Ping JIA Xiao-Peng SU Tai-Chao DONG Nan DENG Le MA Hong-An |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sm |
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