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太阳能材料CuInS_2的晶体结构、电子和光学特性(英文)
引用本文:张向丹,乔庆鹏,余功奇,张宪周.太阳能材料CuInS_2的晶体结构、电子和光学特性(英文)[J].原子与分子物理学报,2014(3).
作者姓名:张向丹  乔庆鹏  余功奇  张宪周
作者单位:新乡学院物理系;河南教育学院物理系;第二炮兵指挥学院;河南师范大学物理与信息工程学院;
基金项目:国家自然科学基金10947162和11104072;新乡学院青年基金(12ZC10);河南省教育厅自然科学基金(2011A140005)
摘    要:用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙.在In 4d和S3p轨道之间有相当强的杂化,构成了(InS2)4-阴离子.我们计算的反射率光谱,介电函数的实部和虚部,消光系数和折射率和实验结果取得了很好的一致.

关 键 词:半导体化合物  电子带结构  光学特性
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