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无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管的理论研究
引用本文:侯茹,郭平,陈永庄,张继良,任兆玉,李英.无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管的理论研究[J].原子与分子物理学报,2012,29(6):977-982.
作者姓名:侯茹  郭平  陈永庄  张继良  任兆玉  李英
作者单位:1. 商洛学院物理与电子信息工程系,商洛,726000
2. 西北大学物理系,西安,710069
3. 商洛学院量子光学与量子信息研究所,商洛,726000
4. 西北大学光子学与光电子技术研究所,西安,710069
5. 商洛学院物理与电子信息工程系,商洛726000;商洛学院量子光学与量子信息研究所,商洛726000
基金项目:国家杰出青年科学基金(10904123),省市自然科学基金(09JK417)
摘    要:运用密度泛函理论的UB3LYP/LanL2DZ方法研究了无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管,并讨论了它们的总能量、原子平均结合能、Mulliken原子净布局、HOMO-LUMO能隙以及电偶极距.计算结果表明无限长封装Cd的四棱柱型硅纳米管基本保持管状结构,而相应的五棱柱型则发生严重畸变.它们的最低能结构都是自旋单重态.无限长封装Cd的五棱柱型硅纳米管中所有Cd原子的Mulliken原子净布局都为正,说明电荷是从Cd原子向Si原子转移,Cd原子是电荷的施体.而有趣的是相应的四棱柱型硅纳米管里两端的Cd原子的Mulliken原子净布局为正,即Cd原子是电荷的施体,但是中间的Cd原子的的Mulliken原子净布局却为负,即电荷由Si原子向Cd原子转移,Cd原子是电荷授体,Si原子是电荷的授体,出现了电子反转.计算的HOMO-LUMO能隙说明无限长封装Cd硅纳米管中五棱柱HOMO-LUMO能隙小于四棱柱型的HOMO-LUMO能隙,说明无限长五棱柱型Cd-Si纳米管的化学活性大于相应的四棱柱型Cd-Si纳米管,且它们的HOMO-LUMO能隙均小于1.5 eV,说明它们具有半导体特性.计算的电偶极矩结果显示,无限长封装Cd的硅纳米管中,五棱柱型的硅纳米管的电偶极距为2.084 Debye,而四棱柱型的电偶极距却为零,说明无限长封装Cd的硅纳米管中四棱柱型的是非极性的,而五棱柱型的则是极性的.

关 键 词:密度泛函理论  无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管  几何构型  Mulliken电荷布局  HOMO-LUMO能隙  电偶极矩
收稿时间:5/1/2012 12:00:00 AM
修稿时间:6/5/2012 12:00:00 AM

A density functional investigation of unlimited prismy Ca encapsulated silicon nanotube atoms
HOU Ru , GUO Ping , CHEN Yong-Zhuang , ZHANG Ji-Liang , REN Zhao-Yu , LI Ying.A density functional investigation of unlimited prismy Ca encapsulated silicon nanotube atoms[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2012,29(6):977-982.
Authors:HOU Ru  GUO Ping  CHEN Yong-Zhuang  ZHANG Ji-Liang  REN Zhao-Yu  LI Ying
Institution:The Department of Physics & Electronics and Information Engineering, ShangLuo University,Physics Department, Northwest University,The Department of Physics & Electronics and Information Engineering, ShangLuo University,Institute of Quantum Optics and Quantum Information Science, ShangLuo University,Institute of Quantum Optics and Quantum Information Science, ShangLuo University,Institute of Photonics & Photon-Technology, Northwest University
Abstract:
Keywords:
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