| La单掺4H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 邹江.La单掺4H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2020,37(4). |
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| 作者姓名： | 邹江 |
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| 作者单位： | 遵义师范学院 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，对未掺杂及La掺杂4H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明，未掺杂4C-SiC其禁带宽度为2.257 eV。La掺杂后带隙宽度下降为1.1143eV，导带最低点为G点，价带最高点为F点，是P型间接半导体。掺杂La原子在价带的低能区间贡献比较大，而对价带的高能区和导带的贡献比较小。未掺杂4H-SiC在光子能量为6.25 eV时，出现一个介电峰，这是由于价带电子向导带电子跃迁产生。而La掺杂后，出现3个介电峰，分别对应的光子能量为0.47eV、2.67eV、6.21eV，前两个介电峰是由于价带电子向杂质能级跃迁产生，第三个介电峰是由于价带电子向导带电子跃迁产生。La掺杂后4H-SiC变成负介电半导体材料。未掺杂4h-SiC的静态介电常数为2.01，La掺杂的静态常数为12.01。
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| 关 键 词： | 第一性原理 掺杂 4H-SiC 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2019/1/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/2/11 0:00:00 |
First principles study of electronic structures and optical properties of La doped 4H-SiC |
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| zoujiang.First principles study of electronic structures and optical properties of La doped 4H-SiC[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2020,37(4). |
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| Authors: | zoujiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | First Principles Doped 4Hsic Electronic Structure Optical Properties |
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