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超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究
引用本文:谭天亚,李春梅,苏宇,徐广文,吴炜,郭永新.超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究[J].原子与分子物理学报,2008,25(1):47-52.
作者姓名:谭天亚  李春梅  苏宇  徐广文  吴炜  郭永新
作者单位:辽宁大学物理学院沈阳市光电子功能器件与检测技术重点实验室,沈阳,110036
基金项目:辽宁大学科研启动基金资助项目(408041)
摘    要:利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.

关 键 词:Monte  Carlo模拟    薄膜生长    基底温度    入射粒子剩余能量  
文章编号:1000-0364(2008)01-0047-06
收稿时间:2006-12-20
修稿时间:2006年12月20

Monte Carlo simulation and study of thin film growth process
TAN Tian-Ya,LI Chun-Mei,SU Yu,XU Guang-Wen,WU Wei,GUO Yong-Xin.Monte Carlo simulation and study of thin film growth process[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2008,25(1):47-52.
Authors:TAN Tian-Ya  LI Chun-Mei  SU Yu  XU Guang-Wen  WU Wei  GUO Yong-Xin
Abstract:作者简介:李春梅.E-mail:angel793832@163.com 通讯作者
Keywords:Monte-Carlo simulation  growth of thin film  substrate temperature  rest energy of incident particles
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