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双面HIT太阳电池TCO与非晶硅界面势垒的模拟优化
引用本文:任瑞晨,张研研,史力斌,李彩霞.双面HIT太阳电池TCO与非晶硅界面势垒的模拟优化[J].原子与分子物理学报,2013,30(6):659-664.
作者姓名:任瑞晨  张研研  史力斌  李彩霞
作者单位:渤海大学数理学院,辽宁工程技术大学矿业学院,渤海大学数理学院
基金项目:辽宁省自然科学基金(No.201102004)
摘    要:采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了TCO与非晶硅界面势垒对TCO/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si(n) /a-Si:H(i) /a-Si:H(n+) /TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明太阳电池的TCO/p+前接触界面势垒(对于电子)越高,越易形成欧姆接触,且电池的短波响应增强,使电池性能变好。模拟还发现,n+ /TCO背接触界面势垒(对于电子)越低,电池性能越好。若背场重掺杂,在背接触势垒小于等于0.5ev时,电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响;若背场低掺杂,在背接触势垒很小的情况下,也能达到与重掺杂相同的转换效率。

关 键 词:太阳电池  异质结  TCO  势垒
收稿时间:6/11/2012 9:59:59 PM
修稿时间:6/24/2012 2:59:50 PM

Optimizing Interface Barrier between TCO and Amorphous Silicon of Bifacial HIT Solar Cell by Simulation
Abstract:
Keywords:solar cell  heterojunction  TCO  barrier
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