| ZnLaxSn-x（x=4，8）半导体材料光电性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 周虹君.ZnLaxSn-x（x=4，8）半导体材料光电性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2017,34(6). |
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| 作者姓名： | 周虹君 |
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| 作者单位： | 重庆文理学院 |
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| 摘 要： | 本文采用第一性原理研究了ZnS，Zn La4Sn-4，ZnLa8Sn-8三个体系的能带结构、分态密度、总态密度以及复介电函数.研究结果显示: ZnS体系的价带顶和导带底都在G点处，为直接带隙材料；ZnLa4Sn-4，Zn La8Sn-8两体系的导带向价带移动，费米能级处有多条能级穿过，费米能级处附近的态密度则由S 3p ，Zn 3p和La 5d以及5p 轨道组成；对比分析ZnS，ZnLa4Sn-4，ZnLa8Sn-8三个体系的复介电函数的虚部发现Zn La4Sn-4、ZnLa8Sn-8体系在0-10eV区域内的介电峰都少于本征结构，而在10到20eV的高能量区间内，ZnLa4Sn-4、ZnLa8Sn-8体系介电峰的相应幅度较ZnS增强.
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| 关 键 词： | 第一性原理 ZnS 能带 态密度 |
| 收稿时间： | 7/6/2015 12:00:00 AM |
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