GenMn(n≤8)团簇的电子结构与磁性的密度泛函理论研究 |
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引用本文: | 白熙.GenMn(n≤8)团簇的电子结构与磁性的密度泛函理论研究[J].原子与分子物理学报,2017,34(6). |
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作者姓名: | 白熙 |
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作者单位: | 长治医学院 |
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摘 要: | 采用密度泛函理论下广义梯度近似方法,对Mn掺杂Ge基半导体团簇 GenMn(n≤8)的结构与磁性进行了理论研究。结果表明:GenMn(n≤8)的最稳定构型与相应的Gen+1团簇相似。Mn掺杂后团簇的原子平均结合能与纯锗团簇比较近似;能量二次差分表明:Ge3Mn和Ge5Mn团簇较相邻团簇表现出较高的稳定性;当n=1,3和6时,HMO-LUMO能隙较大,n=2时,能隙较小,说明GeMn、Ge3Mn和Ge6Mn具有相对较好的化学稳定性,而Ge2Mn具有较高的化学活性。对GenMn(n≤8)团簇的磁性研究发现,除Ge8Mn的总磁矩为1μB外,其他团簇的总磁矩均为3μB,且团簇的磁性主要来源于Mn原子。
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关 键 词: | 密度泛函理论 GenMn团簇 电子结构 磁性 |
收稿时间: | 6/5/2015 12:00:00 AM |
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