| 不同Yb掺杂浓度的ZnO的电子结构与光学特性 |
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| 引用本文： | 王嘉豪,吴磊,刘淑平.不同Yb掺杂浓度的ZnO的电子结构与光学特性[J].原子与分子物理学报,2003(收录汇总):163-168. |
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| 作者姓名： | 王嘉豪 吴磊 刘淑平 |
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| 作者单位： | 1.太原科技大学应用科学学院;2.中国电子科技集团公司第二研究所宽禁带半导体材料制备山西省重点实验室; |
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| 基金项目： | 宽禁带半导体材料山西省重点实验室开放基金 |
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| 摘 要： | 本文基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理计算方法,研究了不同Yb浓度掺杂ZnO体系的电子结构和光学性质.计算得到的结果证明,Yb掺杂ZnO后会造成电子结构和光学性质的明显改变.增加掺杂浓度使能带带隙逐渐变窄,其费米能级向上移动到导带,表现出n型半导体的特性;在Yb-4f态导带附近的带隙中产生了新的缺陷,同时观察到更好的吸收系数和折射率.因此,Yb掺杂ZnO对其电子性质和光学结构有很大的影响,为进一步深入了解掺杂ZnO性质的影响提供理论基础.
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| 关 键 词： | 第一性原理 ZnO 带隙 电子结构 光学特性 |
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