| Co掺杂6H-SiC的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 吴磊,王嘉豪,刘淑平.Co掺杂6H-SiC的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(5):056005-166. |
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| 作者姓名： | 吴磊 王嘉豪 刘淑平 |
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| 作者单位： | 1. 太原科技大学应用科学学院;2. 中国电子科技集团公司第二研究所宽禁带半导体材料制备山西省重点实验室 |
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| 摘 要： | 此文用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了未掺杂及Co替位Si掺杂的6H-SiC体系的电子结构与光学特性，获得了Co掺杂将导致6H-SiC由带隙为2.016 eV的间接带隙半导体变成带隙为0.071 eV的p型半导体，且有磁性；掺杂后能带结构中出现由Co的3d能级造成的杂质能级；且载流子浓度提升，使得材料的导电性得到提高；替换掺杂使得6H-SiC在光学性质方面有所变化，介电函数实部和虚部在低能级处增大，吸收光谱从未掺杂的3.2 eV开始吸收变为略高于0 eV就开始；反射谱与电导率曲线发生红移等有益结果.
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| 关 键 词： | 6H-SiC 带隙 电子结构 光学特性 |
| 收稿时间： | 2022/4/28 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/5/12 0:00:00 |
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