| 稀土元素(La,Y)掺杂GaN的第一性原理计算 |
| |
| 引用本文： | 王坤,肖清泉,张晋敏,王立,贺腾.稀土元素(La,Y)掺杂GaN的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2020,37(3):453-459. |
| |
| 作者姓名： | 王坤 肖清泉 张晋敏 王立 贺腾 |
| |
| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院 |
| |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质.
|
| 关 键 词： | GaN 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2018/10/23 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/11/14 0:00:00 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
