| C掺杂AlN的电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 王腊节,聂招秀.C掺杂AlN的电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2019,36(1):116-122. |
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| 作者姓名： | 王腊节 聂招秀 |
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| 作者单位： | 南昌大学共青学院,南昌工程学院理学院 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极化,在带隙中引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,同时表现出较强的半金属铁磁性,半金属能隙为0.315eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收系数在低能区出现新的峰值,吸收边向低能方向延展,能量损失明显减少.
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| 关 键 词： | C掺杂AlN 铁磁性 稀磁半导体 光学性质 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2018/5/18 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/6/19 0:00:00 |
First-principles study on the electronic structure and optical properties of C-doped AlN |
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| Wang La-Jie and Nie Zhao-Xiu.First-principles study on the electronic structure and optical properties of C-doped AlN[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2019,36(1):116-122. |
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| Authors: | Wang La-Jie and Nie Zhao-Xiu |
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| Institution: | Gongqing College of Nanchang University,Nanchang Institute of Technology |
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