| 稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究 |
| |
| 引用本文： | 张忠政,张春红,闫万珺,周士芸,郭本华.稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2014,31(4):652-656. |
| |
| 作者姓名： | 张忠政 张春红 闫万珺 周士芸 郭本华 |
| |
| 作者单位： | 安顺学院,安顺学院,安顺学院,安顺学院,安顺学院 |
| |
| 基金项目： | 贵州省科技厅自然科学基金项目[黔科合Ｊ字（2010）2001]; 贵州省教育厅自然科学基金项目[黔教科KY（2012）056号]; 贵州省科学技术厅、安顺市人民政府、安顺学院联合科技基金资金资助[黔科合J字LKA（2012）15号]; 贵州省教育厅2011市州地普通本科高校教育质量提升项目[黔高教发KY（2011）278号]资助课题. |
| |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在费米面附近,La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定;La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.
|
| 关 键 词： | CrSi 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质 |
First Principle Study on Electronic Structure and Optical Properties of CrSi2 Doped Rare Earth Element La |
| |
| Zhang Zhong-Zheng,Yan Wan-Jun,and.First Principle Study on Electronic Structure and Optical Properties of CrSi2 Doped Rare Earth Element La[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2014,31(4):652-656. |
| |
| Authors: | Zhang Zhong-Zheng Yan Wan-Jun and |
| |
| Institution: | anshun university,,,, |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CrSi2 first principle doping electronic structure optical properties |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
