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Ta2O5电子结构和光学性质的第一性原理计算
引用本文:包秀丽.Ta2O5电子结构和光学性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2012,29(1):129-135.
作者姓名:包秀丽
作者单位:长江师范学院物理学与电子工程学院,涪陵,408100
基金项目:高等学校优秀青年教师教学、科研奖励基金
摘    要:采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势方法,计算了Ta2O5的电子结构、态密度和和光学性质。能带结构计算表明,Ta2O5为间接带隙半导体,禁带宽度为2.51eV;价带主要由O 2s和Ta 5d,以及Ta 5d,6s电子态构成,导带主要由Ta 5d和O 2p构成;静态介电常数ε1(0)=3.96;折射率n=2.0。并利用计算的能带结构和态密度分析了Ta2O5的介电常数、吸收系数、折射率、反射率、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Ta2O5的设计和应用提供了理论依据。

关 键 词:Ta2O5,光学性质,电子结构,密度泛函理论,第一性原理

First-Principles Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of Ta2O5
BAO Xiu-Li.First-Principles Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of Ta2O5[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2012,29(1):129-135.
Authors:BAO Xiu-Li
Abstract:
Keywords:
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