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| 质子引起Ta,Au和BiL—亚壳层电离 | |
| 引用本文： | 马树勋,杨坤山,刘兆远,张华林.质子引起Ta,Au和BiL—亚壳层电离[J].原子与分子物理学报,1990(3). |
| 作者姓名： | 马树勋 杨坤山 刘兆远 张华林 |
| 作者单位： | 兰州大学现代物理系 (马树勋，杨坤山，刘兆远)，兰州大学现代物理系(张华林) |
| 摘 要： | 0.4—2.75Mev能量的质子轰击薄的Ta,Au和Bi的单元素靶。Si(Li)探测器测量L—壳x射线能谱。利用亚壳层荧光产额和Coster-Kronig跃迁率的理论值,得到2S_(1/2)2P_~(1/2)和2P_(3/2)亚壳层电离截面。测量的L—亚壳层电离截面和它们的比与ECPSSR理论预言值进行了比较。 |
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