| Co对单层MoS_2电子结构与磁性的影响 |
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| 引用本文： | 伏春平,孙凌涛,程正富.Co对单层MoS_2电子结构与磁性的影响[J].原子与分子物理学报,2017,34(4):751-755. |
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| 作者姓名： | 伏春平 孙凌涛 程正富 |
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| 作者单位： | 重庆文理学院 |
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| 摘 要： | 为了研究Co对单层MoS_2电子结构和磁性的影响,本文基于第一性原理,采用数值基组的方法计算了Co吸附式掺杂、Co替代式掺杂单层MoS_2的能带结构、态密度以及分析了其结构的稳定性.结果发现:Co替换式掺杂体系的形成能较低,实验上容易实现;Co在Mo位吸附的稳定性强于在S位吸附;Mo位吸附体系的总磁矩为0.999μB,其磁矩的主要来源于Co原子的吸附所贡献的0.984μB,Co原子的掺杂体系总磁矩为1.029μB,其磁矩的主要由Co原子替代掉一个Mo原子所贡献的磁矩为0.9444μB,相比于吸附体系,Co原子对磁矩的贡献率有所降低;无论是Co吸附在单层MoS_2表面还是Co直接替代掉Mo原子的掺杂体系,Co原子3d轨道的引入是引起单层MoS_2体系磁性的主要原因.
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| 关 键 词： | 磁性 MoS2 能带结构 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2017/2/18 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/3/13 0:00:00 |
Electronic and magnetic properties of monolayer MoS2 with cobalt doping |
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| Fu Chun-Ping,Sun Ling-Tao and Cheng Zheng-Fu.Electronic and magnetic properties of monolayer MoS2 with cobalt doping[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2017,34(4):751-755. |
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| Authors: | Fu Chun-Ping Sun Ling-Tao and Cheng Zheng-Fu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetic properties MoS2 band structures first principles |
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