| TiO_2缺陷结构电子性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 周虹君.TiO_2缺陷结构电子性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2017,34(4):774-778. |
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| 作者姓名： | 周虹君 |
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| 作者单位： | 重庆文理学院 |
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| 摘 要： | 本文采用第一性原理研究了O空位缺陷、Ti空位缺陷TiO_2的能带结构、总态密度、吸收谱.通过研究发现:与TiO_2超胞结构的能带相比,O空位缺陷体系的价带与导带能量均向低能区域移动,费米能级与导带底交错,呈现出n型半导体,Ti空位缺陷的TiO_2的费米能级与价带顶部的能级交错,为p型半导体材料.对于O空位缺陷TiO_2总态密度与分波态密度在低能区的态密度则主要由O的3s、3p轨道贡献的能量,而在费米能附近的态密度则主要由Ti的4d轨道贡献能量;Ti空位缺陷的态密度总态密度仍然由O的3s、3p和Ti的4d轨道贡献的能量;同时分析吸收光谱发现峰值下移较多的是钛缺陷体系,其原因在于Ti缺陷结构中未成键电子的相互作用.
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| 关 键 词： | 第一性原理 TiO2 能带结构 态密度 |
| 收稿时间： | 2017/1/9 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/3/13 0:00:00 |
First principles calculation on the photoelectric properties of defect of TiO2 |
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| Zhou Hong-Jun.First principles calculation on the photoelectric properties of defect of TiO2[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2017,34(4):774-778. |
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| Authors: | Zhou Hong-Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | first principles TiO2 band structures density of states |
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