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C-Nb共掺杂SnO_2电子结构的第一性原理研究
引用本文:张东,伏春平,夏继宏.C-Nb共掺杂SnO_2电子结构的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2018,35(2):297-301.
作者姓名:张东  伏春平  夏继宏
作者单位:重庆文理学院
摘    要:本文利用第一性原理研究了C-Nb共掺杂的SnO_2稳定性、能带结构与态密度,从自旋向上和自旋向下的能带结构以及态密度分析了掺杂体系磁性产生的机理.研究结果表明,C-Nb共掺杂SnO_2体系的稳定性强于C,Nb单掺杂SnO_2体系;C,Nb单掺杂、C-Nb共掺杂的SnO_2体系的总磁矩分别为0μB、0.922μB、1.0μB;Nb掺杂SnO_2体系产生磁性在于Nb的d轨道引入,C-Nb共掺杂SnO_2体系产生磁性在于Nb的s轨道和C的p轨道相互作用.

关 键 词:SnO2    第一性原理  能带结构    态密度
收稿时间:2017/9/9 0:00:00
修稿时间:2017/11/16 0:00:00

Study on Electronic Structure of C-Nb co-doped SnO2 by First-principles
Zhang Dong,Fu Chun-Ping and Xia Ji-Hong.Study on Electronic Structure of C-Nb co-doped SnO2 by First-principles[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2018,35(2):297-301.
Authors:Zhang Dong  Fu Chun-Ping and Xia Ji-Hong
Institution:Chongqing University of Arts and Sciences
Abstract:
Keywords:SnO2  first principles  band structures  density of states
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